完全没热度）

“羲之和传统的光刻机不同。”杨院士接着说道：“它不需要掩膜版，而是通过计算机控制，用一道能量极高的、被聚焦到极致的电子束，直接在硅基材料上书写电路。

因此，它可以随时修改设计，反复调试，特别适合芯片研发初期的验证，以及制造像超构透镜母版这样、独一无二的超高精度元件。”

最后杨院士深吸了一口气，报出了那两个让所有人屏息的数字：“它的性能指标，最小稳定线宽为8纳米，电子束定位精度为0.6纳米。”

“这不可能！定位精度0.6纳米？这精度是不是太夸张了？”

“0.6纳米？比老美的精度还要更高？”

“那岂不是意味着我们能造0.6纳米的透镜？卧槽，这回是光源跟不上镜头了。”

杨院士的脸上是掩饰不住的自豪，这可是我们浙大搞的！

“为了让大家理解，我继续用笔来做比喻。

8纳米线宽，是羲之这支笔，在宣纸上能写出的稳定清晰的那个笔锋。

而0.6纳米精度，则是这支笔的笔尖，本身是由几根更加纤细的、几乎达到原子尺度的狼毫组成的。

你必须拥有一根足够锐利的笔尖，才有可能去驾驭和书写出极细的笔锋。”

林燃直视梁孟松：“梁工程师，我想你应该想到了。”

此时的梁孟松已经两眼放光：“用这支8纳米的笔，我们确实没有办法画出5纳米的母版。

8纳米的极限，意味着我们无法稳定、大规模地制造出完美的5纳米结构。

良率会是一个灾难。

这可是一次性要画超过10的14次方个天线结构，这确实做不到。

但是我们可以用这支笔，去设计一套更聪明的笔法。

我们能用DUV光刻机通过多重曝光技术，造出远比它极限更低的电路尺寸。

同样的我们可以借鉴在晶圆制造上已经成熟的自对准四重曝光的思路，把它反过来，应用在母版制造上！

我们用羲之，先刻画出一个16纳米周期的基础图案，然后通过多次、精准的沉积和蚀刻，在母版上，自我生长、复制出周期为4纳米的结构！

这在工艺上，极其复杂，但在理论上，是完全可行的！”

林燃鼓掌道：“没错，数学层面的问题我帮你们已经解决了，母版的制造需要靠各位的努力，它绝对不会容易，但也绝对能够实现。

最后一步的刻录，有从佳能进口的NIL光刻机来帮我们做到！

一旦成功，依托华国的制造能力，我们将激活史无前例的7nm制程。

这段时间霓虹给我们转让的，已经充分成熟的28nm制程技术，加上这套超构透镜，我们足以攻克稳定的14nm光刻机。

而结合国内已经充分成熟的双重曝光技术，7nm的制程也不在话下。

如果不考虑良品率，结合四重曝光，极限是3.5nm。

已经离国外最先进的2nm只有一步之遥了。”

林燃的话让台下的专家们响起了雷鸣般的掌声，过去谁敢想，现在3.5nm的制程我们都能摸一摸了。

这可不是什么过去追求的去美化半导体生产线，而是全国产的3.5nm半导体生产线。

同时也代表着，一旦攻克了EUV光刻机所需的极紫外线光源，华国和国外最先进的2nm在光刻机领域已经没有差距了。

这意味着什么？

芯片战争的彻底失败，阿美莉卡在过去近十年里，想尽一切办法、联合所有盟友、旨在扼杀华国高科技产业的芯幕彻底被撕毁，遭到了无可挽回的失败。

纳