员，那是妥妥能登上教科书、评院士、留名青史的人。

他连忙深吸了一口气，强行控制住自己的情绪。

陈延森微微颔首，转头看向章延杰：“光学系统同步适配，检查光束匀化效果。”

章延杰立马调出照明光学模块的实时数据，屏幕上弹出一组光束截面分布图。

淡紫色的光斑均匀地覆盖在模拟掩模区域，边缘没有出现丝毫能量衰减的阴影。

“陈老师，光束匀化度99.2%，符合220瓦功率下的光学适配要求，成像光学系统已完成自动对焦校准！”

章延杰扬声回应道。

这一次，控制室内的骚动比方才更加明显。

有人悄悄抹了把眼角，还有人用拳头轻轻捶了下桌面。

从107瓦到220瓦，不仅仅是数字的提升，更是证明他们的MCDE-EUV光源既能“点亮”，也能在更高功率下保持稳定，这意味着量产的可能性又近了一步。

功率是制约工艺节点的重要因素！

制程微缩需实现更小的线宽和间距，要求EUV光具备更高的光学对比度，而功率是对比度的核心支撑。

220瓦的稳定功率，足以满足7纳米制程的芯片生产所需。

陈延森嗯了一声，接着吩咐道：“准备晶圆台与掩模台同步测试，加载测试晶圆，按28纳米制程参数设置曝光程序。”

汪象朝马上响应：“测试晶圆已通过机械臂送入预对准工位，掩模台已加载28纳米标准电路掩模版，同步精度校准中。”

顷刻间，众人的视线重新聚焦在主监控屏上。

屏幕被分成了四个画面：左上角是光源功率与等离子体状态，右上角是光学系统的光束分布，左下角是晶圆台的实时坐标，右下角则是掩模台的运动轨迹。

随着汪象朝按下按钮，两个精密平台迅速移动，它们的运动轨迹像两条精准咬合的齿轮，每一次微调都控制在0.1纳米以内。

“同步精度0.08纳米！已达预设标准！”

汪象朝说道。

陈延森看了一眼时间，此刻是晚上8点37分，距离真空泵启动已经过去了半个多小时。

他俯下身子，对着麦克风，向实验室的工作人员叮嘱道：“曝光开始，单次曝光时间设置为0.5秒，记录所有参数。”

核心腔室的观察窗内，淡紫色的微光骤然亮了一下，旋即恢复柔和。

光路末端的探测器疯狂刷新着数据，屏幕上跳出一行行代表“曝光能量密度”、“线宽均匀度”、“图形套刻精度”的数值。

每一个数字都在朝着合格的方向靠近！

0.5秒的时间，却像一个世纪那么漫长。

当曝光完成的提示音在控制室内响起时，汪象朝立刻操控机械臂将测试晶圆移出，送往检测室。

一行人都跟了过去，连脚步都变得急促起来。

在精密的EUV掩模版检测仪下，当第一张晶圆的光刻图案清晰显示在屏幕上时，现场彻底沸腾了。

线条细如蛛丝，却没有一丝断裂或模糊，每一个晶体管的轮廓都精准得如同复刻。

光刻机的运行原理就像印刷机，又像照相机，只不过它所运用的‘画笔’和‘画板’都更为精细。

“成了！真的成了！”

汪象朝喃喃低语，双手在发抖，嘴里发出‘呵呵呵’的笑声，压抑中带着亢奋。

不一会儿，笑声变得呜咽。

他今年五十九岁，在EUV光源领域已经摸爬滚打了大半辈子。

曾经的他，眼看着自己的人生快要走到尽头，连EUV光源的技术突破也渐渐看不到希望，心里满是无力